特斯拉开启碳化硅大规模应用,碳化硅+800V正在联袂而来

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2021,碳化硅爆发“元年”。2022年,800V爆发“元年”。

作者丨王小西

责编丨罗超

编辑丨朱锦斌

10月份,美国《华尔街日报》报道,全球汽车行业正把数以十亿美元计的资金投向以碳化硅(SiC)材料制成的芯片。

比如通用汽车公司,其副总裁希尔潘·阿明就表示:“电动汽车用户正追求更长的续航里程,我们把碳化硅视为电力电子设计中的一种重要材料。”

在说这话之前,通用汽车已经与总部位于达勒姆(北卡罗来纳州)的沃尔夫斯皮德公司达成了一项协议,将使用后者生产的碳化硅器件。

而相辅相成的是,碳化硅的崛起,跟汽车行业正在推进的800V高压平台系统算是“绝配”。在800V高压平台趋近的趋势下,行业预计,未来几年SiC功率元器件将随着800V平台的大规模上车进入快速爆发阶段。

为什么这么说?因为,在800V甚至更高水平的平台上,原本的硅基IGBT芯片达到了材料极限,碳化硅则具备耐高压、耐高温、高频等优势,无疑是IGBT最佳的替代方案。

作为今年热炒的第三代功率半导体材料,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)应用在更高阶的高压功率元器件以及高频通讯元器件领域,代表5G时代的主要材料。特别是碳化硅,可谓集“万千宠爱于一身”。

当然,碳化硅面临的一大挑战是它高企的价格。而如何确保以碳化硅芯片实现的成本节约效益,盖过碳化硅芯片较高生产成本这一不利因素,就成为当下最重要的任务。

俗话说,榜样的力量是无穷的,就像特斯拉所做的那样——特斯拉数年来在功率控制芯片中使用碳化硅,效果是能量损失减少,造就更强大的发动机,提升续航里程,从TCO(总体拥有成本)的角度来讲,单车成本反而下降了不少。

实际上,当下SiC+800V大热,说不清是碳化硅成就了800V,还是800V成就了碳化硅,我们能确定的是,接下来,碳化硅替代IGBT正在成为主流。

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碳化硅的优势

从价格方面来说,目前国际上SiC价格是对应硅基产品的5~6倍,并以每年10%的速度下降。据预测,随着未来2~3年市场供应加大,预计价格达到对应硅基产品的2~3倍时,由系统成本减少和性能提升带来的优势,将推动SiC逐步替代硅基IGBT等产品。

按照《华尔街日报》的报道,“研究者估计,根据电动车种类的不同,碳化硅相关技术可以帮助一辆车最终节约出750美元的电池成本。”也有人测算,最终使用SiC合计大约会产生约2000元左右的成本降低。不过,碳化硅材料的成本要接近硅基材料,估计还要等几年。

而碳化硅价格高的原因很简单,因为难造。碳化硅为什么那么难造?可以这么说,钻石有多硬,它就有多硬。所以,碳化硅的制造成本在短期內依然高企。

但是,碳化硅的优势却是非常明确的。比如,体积缩小是其一,丰田的碳化硅元器件体积就要比硅基的缩小80%。此外,据相关分析数据,续航方面,与使用硅基芯片的电动汽车相比,搭载SiC芯片的电动汽车行驶距离平均延长6%。

举个国内的例子,想比亚迪汉EV的SiC模块同功率情况下体积较硅IGBT缩小一半以上,功率密度提升一倍。而且,根据比亚迪公司计划,到2023年比亚迪旗下所有电动车会用SiC功率半导体全面替代IGBT。碳化硅的趋势真是势不可挡啊。

不过,若论及碳化硅的大规模应用,则始于特斯拉。

2018年,特斯拉在Model 3中首次将IGBT模块换成了碳化硅模块。使用下来,在相同功率等级下,碳化硅模块的封装尺寸明显小于硅模块,并且开关损耗降低了75%。而且,换算下来,采用SiC模块替代IGBT模块,其系统效率可以提高5%左右。

当然,从成本来讲,这样并不划算。因为逆变器的功率器件由IGBT替换成碳化硅之后,采购成本上升将近1500元。但是,因为整车效率的提升,导致电池装机量的下降,从电池端把成本又省回来了。

从发展历史来说,全球首款碳化硅功率半导体SiC MOSFET的推出,是在2011年。而在这之前,美国科锐(Cree)公司经过了将近二十年的研发,可谓“难产”。十年之后,SiC才终于迎来“爆发元年”。

而Cree首席执行官Gregg Lowe还确认,公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工厂,使其能够充分利用未来几十年的增长机遇。

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